Page 2 : Overclocking
Pada skenario overclocking memory V-Gen ini kami memulai berjalan pada kecepatan 3000Mhz , mengingat chip IC Samsung DDR4 memang terkenal mudah berjalan pada kecepatan 3000Mhz atau lebih. Untuk penggunaan sehari-hari pada memory chip IC Samsung DDR4 usahakan menggunakan Volatse RAM jangan melebihi angka 1.55v. Tetapi kalo kalian memang ingin meng-overclock dengan tujuan hanya ingin mencari skor tertinggi pada suatu benchmark (bukan buat daily) Voltase RAM pada chip IC Samsung ini dapat menerima hingga volatse 1.8-1.95V. Memang chip IC Samsung DDR4 terkenal dapat beroperasi pada voltase yang tinggi, tetapi perlu diingat voltase tersebut tidak disarankan untuk penggunaan sehari-hari.
-
3000Mhz CL16-16-16-28-1T 1.25v
Pertama kami set Voltage DRAM di 1.25V kemudian kecepatan kami set pada ratio memory 3000Mhz. Lanjut set timming secara manual 16-16-16-28-1T. tekan F10 dan save. Cukup Mudah!, memory V-Gen ini berjalan dengan sangat mudah pada kecepatan 3000Mhz.
-
3200Mhz CL16-16-16-28-1T 1.30v
Lanjut kita push lagi, kami menambahkan 0.5V pada set Voltage DRAM menjadi 1.3V, kalian bisa scalling perlahan dengan menambahkan voltase RAM dengan range +0.25V atau +0.5V. kemudian kecepatan kami set pada ratio memory 3200Mhz. Timming masih menggunakan 16-16-16-28-1T. tekan F10 dan save. Cukup Mudah!, memory V-Gen ini berjalan dengan sangat mudah pada kecepatan 3200Mhz.
-
3466Mhz CL16-18-18-28-1T 1.35v
Lanjut kita push lagi, kami menambahkan 0.5V pada set Voltage DRAM menjadi 1.35V, kalian bisa scalling perlahan dengan menambahkan voltase RAM dengan range +0.25V atau +0.5V. kemudian kecepatan kami set pada ratio memory 3466Mhz. Penggunaan Timming 16-16-16-28-1T ternyata tidak bisa boot, coba longgarkan sedikit pada TRCD menjadi CL16-18-18-28-1T. tekan F10 dan save. dengan melonggarkan timming pada TRCD membuat memory ini dengan mudah berjalan pada kecepatan 3466Mhz CL16-18-18-28-1T.
-
3600Mhz CL16-18-18-28-1T 1.45v
Lanjut kita push lagi, kami menambahkan lagi pada Voltage DRAM menjadi 1.45V, kalian bisa scalling perlahan dengan menambahkan voltase RAM dengan range +0.25V atau +0.5V dari voltase DRAM Sebelumnya. kemudian kecepatan kami set pada ratio memory 3600Mhz. Timming masih menggunakan 16-18-18-28-1T. tekan F10 dan save. Cukup Mudah!, memory V-Gen ini berjalan dengan sangat mudah pada kecepatan 3600Mhz
-
3733Mhz CL16-19-19-28-1T 1.55v
Lanjut kita push lagi, kami menambahkan Voltage DRAM menjadi 1.55V, kalian bisa scalling perlahan dengan menambahkan voltase RAM dengan range +0.25V atau +0.5V. kemudian kecepatan kami set pada ratio memory 3733Mhz. Penggunaan Timming 16-18-18-28-1T ternyata membuat memori menjadi gagal boot, kami pun mencoba melonggarkan timming pada TRCD menjadi CL16-19-19-28-1T. tekan F10 dan save. dengan melonggarkan timming pada TRCD membuat memory dengan mudah berjalan pada kecepatan 3733Mhz CL16-19-19-28-1T.
Kami sudah mencoba menaikan voltase RAM, melonggarkan timming, dan menaikan ratio memory hingga 3866Mhz, ternyata memory yang kami gunakan ini telah mencapai batas maksimalnya pada kecepatan 3733Mhz. kami akan menampilkan Hasil Pengujian dari hasil overclock memory V-Gen ini pada halaman selanjutnya.
